ЖИДКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

Плавление мн. крист. полупроводников (Sb2, S3 и др.) сопровождается резким увеличением их электропроводности s до значений, типичных для металлов

Зависимость электропроводности о от температуры Т: а — для Si; б — для HgSe.

(рис., а). Однако для ряда ПП (напр., HgSe, HgTe, Sb2Cl3) характерно сохранение или уменьшение о при плавлении и сохранение ПП хар-ра температурной зависимости а (рис., б). Нек-рые из Ж. п. при дальнейшем повышении темп-ры теряют ПП св-ва и приобретают металлические (напр., сплавы Те—Se, богатые Те). Сплавы же Те—Se, богатые Se, ведут себя иначе, их электропроводность имеет чисто ПП хар-р.

В Ж. п. роль запрещённой зоны играет область энергии вблизи минимума плотности состояний в энергетич. спектре эл-нов. При достаточно глубоком минимуме в его окрестности появляется зона почти локализованных состояний носителей заряда с малой подвижностью (псевдощель). Если при повышении температуры происходит «схлопывание» псевдощели, Ж. п. превращается в металл.